电子半导体废水处理案例｜电子半导体废水处理方法

华南某LED外延片生产企业，因生产过程中使用砷化镓、磷化铟等III-V族化合物，废水中含砷（As）、镉（Cd）、铅（Pb）等重金属，设计处理规模1200吨/日。

废水成分及来源

MOCVD设备清洗废水

：含三甲基镉、三甲基铟等有机金属化合物

切割研磨废水

：含纳米级金属颗粒

电镀废水

：含铜、镍等金属离子

处理工艺流程

创新采用"氧化破络+重金属捕集+膜分离"组合工艺：

预处理单元

：投加次氯酸钠分解有机金属络合物

核心处理单元

：

使用DTCR重金属捕集剂形成不溶性螯合物

超滤系统（UF）截留大分子污染物

反渗透（RO）脱盐率＞98%

污泥处理单元

：离心脱水后交由危废处理中心处置

最终效果

经第三方检测：

总砷含量：0.05mg/L（国标0.5mg/L）

镉含量：0.01mg/L（国标0.1mg/L）

水回用率：75%

运行成本：3.8元/吨水